Se da difusión a la defensa de la siguiente Tesis Doctoral:

Autora: Zhan Gao

Título: Improvement of performance and reliability of GaN-based high electron mobility transistors (HEMTs) using high-k dielectrics

Directores de Tesis:
Dr. Fernando Calle Gómez
Dra. María Fátima Romero Rojo

Fecha y lugar: 11 de septiembre de 2017, a las 11:00 en el Salón de Grados, Edificio A de la ETSI de Telecomunicación

Sala de Profesores del Edificio C, a las 18 horas.