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Start: 11/09/2017 11:00
End: 11/09/2017 14:00
Se da difusión a la defensa de la siguiente Tesis Doctoral: Autora: Zhan Gao Título: Improvement of performance and reliability of GaN-based high electron mobility transistors (HEMTs) using high-k dielectrics Directores de Tesis: Dr. Fernando Calle Gómez Dra. María Fátima Romero Rojo Fecha y lugar: 11 de septiembre de 2017, a las 11:00 en el Salón de Grados, Edificio A de la ETSI de Telecomunicación Start: 11/09/2017 18:00
End: 11/09/2017 20:00
Sala de Profesores del Edificio C, a las 18 horas.
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