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Defensa de la Tesis Doctoral de Dª Zhan Gao
11/09/2017 11:00
11/09/2017 14:00
Imagen:
Se da difusión a la defensa de la siguiente Tesis Doctoral: Autora: Zhan Gao Título: Improvement of performance and reliability of GaN-based high electron mobility transistors (HEMTs) using high-k dielectrics Directores de Tesis: Dr. Fernando Calle Gómez Dra. María Fátima Romero Rojo Fecha y lugar: 11 de septiembre de 2017, a las 11:00 en el Salón de Grados, Edificio A de la ETSI de Telecomunicación
¿Evento Destacado?:
Si
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