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Vie, 01/12/1995 |
Ana Sacedón Ayuso |
Aportación al estudio de estructuras pseudomórficas y metamórficas de InGaAs |
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Vie, 18/12/2009 |
Fernando Gonzalez-Posada Flores |
Aspectos estructurales, deformación y superficies en relación con la fiabilidad de transistores de alta movilidad electrónica basados en heteroestructuras de AIGaN/GaN |
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Vie, 24/07/2015 |
Ana Pérez Campos |
CMOS Integration of AIN based piezoelectric microcantilevers |
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Mie, 04/07/2012 |
Zarko Gacevic |
Constituent blocks of III-nitride microcavities grown by molecular beam epitaxy |
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Lun, 12/07/2010 |
Mª Fátima Romero Rojo |
Contribución al Desarrollo Tecnológico de transistores HEMT de AlGaN/GaN |
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Vie, 08/07/2011 |
Alvaro Navarro Tobar |
Contribución al desarrollo y caracterización de fotodetectores avanzados basados en nitruros del grupo III |
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Vie, 16/10/1998 |
Fernando José Sánchez Sanz |
Contribución al estudio de defectos en capas epitaxiales de GaN. Aplicación a dispositivos optoelectrónicos |
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Lun, 14/10/1996 |
Fernando Blanco Mourenza |
Contribución al estudio de las irregularidades de baja frecuencia de transitores FET de heteroestructura de AlGaAs/InGaAs |
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Lun, 02/10/1989 |
José Ignacio Izpura Torres |
Contribución al estudio de transistores bipolares de AlGaAs/GaAs: Estudio de las zonas tipo N |
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Vie, 29/11/1996 |
Ángel Luis Álvarez Castillo |
Contribución al estudio por espectroscopia raman de la deformación y los altos dopajes en InGaAs epitaxial |
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Vie, 05/06/2009 |
Sergio Fernández Garrido |
Crecimiento de nitruros del grupo III por epitaxia de haces moleculares para la fabricación de diodos electroluminiscentes en el Rango visible-ultravioleta |
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Vie, 10/02/2006 |
Javier Miguel Sánchez |
Crecimiento por MBE de pozos cuánticos de InGaAsN sobre GaAs (111)B y (100) para su aplicación en láseres de semiconductor |
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Vie, 05/06/2009 |
Javier Grandal Quintana |
Crecimiento y caracterización de nitruro de indio por epitaxia de haces moleculares para aplicaciones en el infrarrojo cercano |
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Lun, 27/11/2000 |
Miguel Ángel Sánchez García |
Crecimiento y caracterización de Nitruros del grupo III sobre Si(111) por epitaxia de haces moleculares |
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Vie, 10/10/2003 |
Ana Jiménez Martín |
Crecimiento y fabricación de transistores HEMT de AlGaN/GaN por epitaxia de haces moleculares |
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Lun, 06/10/2003 |
Fernando B. Naranjo Vega |
Crecimiento, fabricación y caracterización de diodos electroluminiscentes basados en pozos cuánticos de InGaN |
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Vie, 08/06/2012 |
Ana Mª Bengoechea Encabo |
Crecimiento, fabricación y caracterización de heterosestructuras y nanocolumnas ordenadas basadas en nitruros del grupo III para aplicaciones sensoras |
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Lun, 10/05/2004 |
Esperanza Luna García de la Infanta |
Desarrollo de detectores de infrarrojo fotovoltaicos, de pozo cuántico y doble barrera, para la banda de 3-5 µm |
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Mie, 12/05/2010 |
Raquel Gargallo Caballero |
Desarrollo de dispositivos optoelectrónicos mediante crecimiento por MBE y caracterización de nanoestructuras de punto cuántico basadas en (Ga,In)(As,N) |
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Jue, 29/06/2000 |
Álvaro de Guzmán Fernández González |
Desarrollo de fotodetectores bi-color de infrarrojos con pozos cuánticos de GaAs/AlGaAs |
