Eventos
Versión para impresión| Lun | Mar | Mié | Jue | Vie | Sáb | Dom |
|---|---|---|---|---|---|---|
11
Inicio: 11/09/2017 11:00
Fin: 11/09/2017 14:00
Se da difusión a la defensa de la siguiente Tesis Doctoral: Autora: Zhan Gao Título: Improvement of performance and reliability of GaN-based high electron mobility transistors (HEMTs) using high-k dielectrics Directores de Tesis: Dr. Fernando Calle Gómez Dra. María Fátima Romero Rojo Fecha y lugar: 11 de septiembre de 2017, a las 11:00 en el Salón de Grados, Edificio A de la ETSI de Telecomunicación Inicio: 11/09/2017 18:00
Fin: 11/09/2017 20:00
Sala de Profesores del Edificio C, a las 18 horas.
| 12
| 13
| 14
| 15
| 16
| 17
|
