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Tesis

Formato: 2017
Fecha Autor Tesis Título
Vie, 01/12/1995
Ana Sacedón Ayuso Aportación al estudio de estructuras pseudomórficas y metamórficas de InGaAs
Vie, 18/12/2009
Fernando Gonzalez-Posada Flores Aspectos estructurales, deformación y superficies en relación con la fiabilidad de transistores de alta movilidad electrónica basados en heteroestructuras de AIGaN/GaN
Vie, 24/07/2015
Ana Pérez Campos CMOS Integration of AIN based piezoelectric microcantilevers
Mie, 04/07/2012
Zarko Gacevic Constituent blocks of III-nitride microcavities grown by molecular beam epitaxy
Lun, 12/07/2010
Mª Fátima Romero Rojo Contribución al Desarrollo Tecnológico de transistores HEMT de AlGaN/GaN
Vie, 08/07/2011
Alvaro Navarro Tobar Contribución al desarrollo y caracterización de fotodetectores avanzados basados en nitruros del grupo III
Vie, 16/10/1998
Fernando José Sánchez Sanz Contribución al estudio de defectos en capas epitaxiales de GaN. Aplicación a dispositivos optoelectrónicos
Lun, 14/10/1996
Fernando Blanco Mourenza Contribución al estudio de las irregularidades de baja frecuencia de transitores FET de heteroestructura de AlGaAs/InGaAs
Lun, 02/10/1989
José Ignacio Izpura Torres Contribución al estudio de transistores bipolares de AlGaAs/GaAs: Estudio de las zonas tipo N
Vie, 29/11/1996
Ángel Luis Álvarez Castillo Contribución al estudio por espectroscopia raman de la deformación y los altos dopajes en InGaAs epitaxial
Vie, 05/06/2009
Sergio Fernández Garrido Crecimiento de nitruros del grupo III por epitaxia de haces moleculares para la fabricación de diodos electroluminiscentes en el Rango visible-ultravioleta
Vie, 10/02/2006
Javier Miguel Sánchez Crecimiento por MBE de pozos cuánticos de InGaAsN sobre GaAs (111)B y (100) para su aplicación en láseres de semiconductor
Vie, 05/06/2009
Javier Grandal Quintana Crecimiento y caracterización de nitruro de indio por epitaxia de haces moleculares para aplicaciones en el infrarrojo cercano
Lun, 27/11/2000
Miguel Ángel Sánchez García Crecimiento y caracterización de Nitruros del grupo III sobre Si(111) por epitaxia de haces moleculares
Vie, 10/10/2003
Ana Jiménez Martín Crecimiento y fabricación de transistores HEMT de AlGaN/GaN por epitaxia de haces moleculares
Lun, 06/10/2003
Fernando B. Naranjo Vega Crecimiento, fabricación y caracterización de diodos electroluminiscentes basados en pozos cuánticos de InGaN
Vie, 08/06/2012
Ana Mª Bengoechea Encabo Crecimiento, fabricación y caracterización de heterosestructuras y nanocolumnas ordenadas basadas en nitruros del grupo III para aplicaciones sensoras
Lun, 10/05/2004
Esperanza Luna García de la Infanta Desarrollo de detectores de infrarrojo fotovoltaicos, de pozo cuántico y doble barrera, para la banda de 3-5 µm
Mie, 12/05/2010
Raquel Gargallo Caballero Desarrollo de dispositivos optoelectrónicos mediante crecimiento por MBE y caracterización de nanoestructuras de punto cuántico basadas en (Ga,In)(As,N)
Jue, 29/06/2000
Álvaro de Guzmán Fernández González Desarrollo de fotodetectores bi-color de infrarrojos con pozos cuánticos de GaAs/AlGaAs