El estudiante de doctorado Manuel López Ponce hablara sobre su trabajo con nanohilos de ZnO y ZnCdO crecidos por RPE-MOCVD. Estos semiconductores en los que el GAP puede variar entre 3.3 a 1.8 eV, son grandes candidatos para la fabricación de dispositivos optoelectrónicos en el rango visible-UV. Además, la facilidad que tienen estos materiales para formar nanoestructuras los hacen aún más interesantes. El investigador nos contará su experiencia en el crecimiento y los porcesos de aleado en estos materiales, así como una breve introducción a los laboratorios del ISOM y semiconductores de GAP ancho. 8-05-2013 Aula B-221 (Building B) 16:00
