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Autor Tesis: 
Jelena Ristic
Fecha : 
Lun, 24/04/2006
Director/es
Nombre y apellidos: 
Calificación: 
Sobresaliente Cum Laude
Documento electrónico: 
Autor Tesis: 
Álvaro Araujo Pinto
Grupos de investigación: 
Fecha : 
Mie, 31/01/2007
Director/es
Resumen: 

Los entornos inteligentes han supuesto la aparición de nuevos escenarios con nuevas características diferentes a los modelos existentes: multitud de dispositivos con capacidad de computo y comunicaciones, recursos limitados, redes heterogéneas, evolución temporal permanente, movilidad, etc. que deben ser soportadas y aprovechadas por las aplicaciones desarrolladas para dichos entornos. Este es un campo de trabajo novedoso por lo que las metodologías propuestas para el desarrollo de estas aplicaciones son escasas y presentan problemas, como la existencia de elementos críticos, sobrecarga del protocolo, ausencia de fiabilidad, mala gestión del escalado de la red o ausencia de mecanismos que resuelvan el dinamismo del sistema. La metodología que se propone en esta tesis aborda los problemas anteriores de una manera integral basándose en el concepto de servicios. La concepción de la aplicación como una mera agregación de servicios permite trascender el ámbito de las redes inalámbricas de área personal y así dotar de una mayor funcionalidad al sistema. Los pilares básicos de la metodología: definición sencilla y concreta de la interfaz de servicio, jerarquía de servicios escalable, arquitectura dinámica para soportar la evolución temporal sin sobrecarga del protocolo, filosofía de programación emergente para evitar elementos críticos y verificación formal de los servicios individualmente y del entorno global, involucrados en distintas fases del proceso de desarrollo, permite resolver los problemas de las aproximaciones anteriores y aumentar la productividad de los desarrolladores de aplicaciones. Se ha implementado un entorno inteligente real de referencia (PERSEIA) para soportar la metodología propuesta, que sirve como banco de pruebas para la verificación del enfoque realizado y como patrón de comparación con otras alternativas metodológicas. Se han validado los resultados de las aproximaciones en dicho entorno.

Calificación: 
Sobresaliente Cum Laude
Autor Tesis: 
Sylvain Fischer
Grupos de investigación: 
Fecha : 
Vie, 16/03/2007
Director/es
Nombre y apellidos: 
Calificación: 
Sobresaliente Cum Laude
Documento electrónico: 
Autor Tesis: 
Rafael Redondo Tejedor
Grupos de investigación: 
Fecha : 
Vie, 20/04/2007
Director/es
Nombre y apellidos: 
Calificación: 
Sobresaliente Cum Laude
Documento electrónico: 
Autor Tesis: 
Jorge Pedrós Ayala
Fecha : 
Vie, 06/07/2007
Director/es
Nombre y apellidos: 
Resumen: 

Los nitruros del grupo III (AIN, GaN y sus aleaciones) han surgido en la última década como los materiales más prometedores para el desarrollo de filtros de ondas acústicas superficiales (SAW) de alta frecuencia para procesado de señal y comunicaciones debido a su elevada velocidad de propagación del sonido. Más aún, esta velocidad puede incrementarse en capas de nitruro sobre substratos apropiados. Se requiere para ello una caracterización detallada de la dispersión de las propiedades de la SAW en el sistema laminado en particular. Además, el gap ancho y directo de los nitruros permite desarrollar interesantes aplicaciones explotando la modulación de los bordes de la bandas de energía inducida por los campos de la SAW. No obstante, esta excepcional sinergia apenas ha sido estudiada. Esta Tesis presenta la caracterización de las diferentes SAWs y pseudo-SAWs (PSAWs) que se propagan en las capas de GaN y AlN crecidas en distintos substratos, así como el estudio de la interacción de estas ondas con la luz y los portadores en estructuras basadas en GaN. Esta interacción se ha aplicado en este trabajo a la fabricación de fotodetectores asistidos por SAWs y dispositivos SAW modulados por efecto de campo. Se han caracterizado experimentalmente la dispersion y la polarización del espectro de modos acústicos de superficie en los sistemas de GaN y AlN sobre zafiro(0001) y 6H-SiC(0001), y comparado los resultados con simulaciones numéricas. En la estructura de GaN/zafiro, la menor velocidad de propagación en el nitruro que en el substrato permite la aparición junto con el modo Rayleigh de modos Sezawa y Love, confinados en la epicapa. Por el contrario, en la estructura de AlN/zafiro, con mayor velocidad de propagación en el nitruro que en el substrato, únicamente aparece el modo Rayleigh. Se ha demostrado cómo la simetría trigonal del zafiro no sólo genera la propagación anisótropa de las SAWs en las heteroestructuras, a pesar de la isotropía de las propiedades elásticas en el plano c de los nitruros, sino que también induce la mezcla de sus polarizaciones, incluso en direcciones de alta simetría cristalina. Así, los modos Love, normalmente inactivos piezoeléctricamente en los nitruros, se excitan en GaN a través de esta mezcla de las polarizaciones. La simetría hexagonal de los sistemas lento-sobre-rápido formados por GaN y AlN sobre 6H-SiC produce propagación isótropa y con polarización pura, restringida, por tanto, a la excitación de ondas Rayleigh y Sezawa. Aparte de las SAWs descritas, se han predicho PSAWs en todos los sistemas mencionados por encima de cierto umbral de velocidad, de los que en muchos casos se ha obtenido evidencia experimental. Se ha investigado la ionización de los portadores fotogenerados inducida por los campos piezoeléctricos de una SAW en GaN. Se ha analizado la dinámica de ionización a través de la cancelación de la fotoluminiscencia en el rango excitónico bajo la propagación de distintas SAWs en la heteroestructura de GaN/6H-SiC(0001). Se ha desarrollado un modelo acoplado de ecuaciones de balance, basado en la ionización por impacto de los excitones libre y ligado a donor bajo los campos piezoeléctricos generados por la SAW. La tasa de ionización por impacto revela dos regímenes cuando se incrementa la potencia de la SAW, respectivamente dominados por las ionizaciones por impacto iniciadas por huecos y electrones. El modelo propuesto es también válido para otros semiconductores piezoeléctricos de gap ancho y directo, tales como CdS, ZnO y AlN, donde la ionización directa por el campo requiere un campo eléctrico todavía mayor que en GaN. La ionización de los portadores fotogenerados y su confinamiento y transporte en los pozos de potencial móviles de la SAW se ha aplicado al desarrollo de fotodetectores de UV metal-semiconductor-metal (MSM) en GaN asistidos por ondas acústicas. Se ha demostrado la efectividad del transporte acústico de carga con varias SAWs y PSAWs propagándose en la heteroestructura de GaN/zafiro(0001). Se ha caracterizado la dependencia de la respuesta MSM-SAW con la potencia óptica y acústica. Se ha demostrado que la polarización DC de IDTs formados por barreras Schottky, junto con la exitación de RF, permite la transducción SAW y PSAW en heteroestructuras de AlGaN/GaN con un gas bidimensional de electrones (2DEG) en su interfase. La transducción (P)SAW, impedida inicialmente por el apantallamiento de los campos piezoeléctricos producido por el 2DEG, se recupera cuando se vacía la carga bajo los IDTs. Las características de los filtros (P)SAW también se ven afectadas por la conducción entre IDTs, la cual se ve favorecida o apantallada dependiendo de la modulación particular del diagrama de bandas creada por la polarización específica de los IDTs de entrada y salida. El acoplo electromagnético de carácter capacitivo entre IDTs, que modifica el nivel de fondo de la respuesta del filtro, se minimiza eficientemente mediante la selección de un esquema de polarización apropiado. El mecanismo de control de ganancia de este novedoso dispositivo SAW modulado por efecto de campo se ha utilizado para asegurar la operación de clase casi-A en el lazo de realimentación de un oscilador SAW, reduciendo la distorsión de la señal.. Por otro lado, la transducción SAW basada en la deplexión del 2DEG evita el ataque o tratamiento con plasma de la capa de AlGaN en el proceso de fabricación del dispositivo SAW, que provoca daño estructural y un empeoramiento de la respuesta del filtro. Esta aproximación puede facilitar la integración de los dispositivos SAW con los transistores de alta movilidad electrónica en AlGaN/GaN, básica para el desarrollo de MMICs basados en nitruros.

Calificación: 
Sobresaliente Cum Laude
Autor Tesis: 
Francisco J. Blanco Barro
Fecha : 
Vie, 06/07/2007
Resumen: 

Directores: Laura M. Lechuga/Jorge Elizalde García

Calificación: 
Sobresaliente Cum Laude
Documento electrónico: 
Autor Tesis: 
Javier Anduaga Salvatierra
Fecha : 
Jue, 12/07/2007
Director/es
Nombre y apellidos: 
Calificación: 
Sobresaliente Cum Laude
Documento electrónico: 
Autor Tesis: 
Carlos Rivera de Lucas
Fecha : 
Vie, 13/07/2007
Director/es
Nombre y apellidos: 
Resumen: 

En esta Tesis Doctoral se presenta una contribución al diseño, fabricación y caracterización de estructuras avanzadas para la detección de radiación ultravioleta y visible basadas en nitruros del grupo III. Los nitruros del grupo III se revelan como la familia de semiconductores potencialmente más prometedora para realizar detectores de radiación ultravioleta y visible debido a que, entre otras características, pueden desplazar su borde de absorción desde el infrarrojo ( 0.7 eV para el InN) hasta el ultravioleta ( 6.2 eV para el AlN) sin más que variar la composición de la aleación de (Al,Ga,In)N. Las aplicaciones de estos detectores son muy diversas tanto en el ámbito militar como civil, desde instrumentación básica, monitorización de la combustión o astronomía, hasta comunicaciones seguras o detección de misiles, por ejemplo. Por otra parte, las propiedades intrínsecas de estos materiales, como su elevada piezoelectricidad o su simetría cristalina en la fase wurtzita, sugieren la posibilidad de estudiar nuevos tipos de dispositivos aptos para la detección. El desarrollo de estructuras avanzadas ha seguido dos aproximaciones diferentes. Una consistente en la mejora de los parámetros básicos de los detectores. Para realizar esta tarea se han empleado estructuras basadas en las propiedades de la baja dimensionalidad. Y otra consistente en la aportación de funcionalidades añadidas a la detección, como son la sensibilidad a la polarización de la luz o la posibilidad de modificar la respuesta espectral de los dispositivos para permitir una detección paso banda. Para cumplir con este objetivo se ha hecho uso de las propiedades de anisotropía óptica de las capas en función de la orientación cristalina y la deformación. Las estructuras de baja dimensionalidad basadas en pozos cuánticos múltiples de (In,Ga)N/GaN fueron propuestas inicialmente para sustituir a los detectores fabricados en capas gruesas principalmente por razones tecnológicas. Este trabajo, sin embargo, se ha enfocado al estudio de las propiedades inherentes de estas estructuras y del material para la detección. Las predicciones teóricas y la caracterización tanto eléctrica como óptica demuestran que el comportamiento de los pozos cuánticos de (In,Ga)N/GaN está dominado por el efecto de los campos inducidos por la polarización y por el efecto de la localización originada por la inhomogeneidad en composición del (In,Ga)N. Los campos inducidos por la polarización tienen a su vez dos efectos, uno sobre las propiedades del pozo (intrapozo) y otro sobre la estructura (extrapozo). El efecto intrapozo resulta en la modificación de la estructura de subbandas en el pozo y en la reducción de la fuerza de oscilador de las transiciones observada experimentalmente. El efecto extrapozo da lugar a un campo eléctrico interno que puede oponerse al preexistente en la estructura (el de una unión p-n, por ejemplo) llegando incluso a crear regiones con campo promedio negativo. La localización, por otra parte, parece estar relacionada con la captura de huecos en mínimos de potencial ocasionados por la inhomogeneidad en composición del ternario. Se estudiaron también las propiedades de discos cuánticos mesoscópicos de (Al,Ga)N/GaN en estructuras nanocolumnares. Para explicar los resultados se ha desarrollado un modelo original que explica el mecanismo de confinamiento específico de este tipo de sistemas donde coexisten los efectos de la deformación pura con los campos inducidos por la polarización. El mecanismo, denominado confinamiento por deformación, sugiere que se pueden formar estados separados espacialmente en la dirección del plano de los discos. Se ha propuesto y demostrado un mecanismo de ganancia de fotocorriente propio de materiales piezoeléctricos que requiere de la existencia de un campo promedio negativo. Se fabricaron y caracterizaron detectores de tipo fotocoductivo, diodos de barrera Schottky y diodos p-i-n con pozos cuánticos como parte activa. Cada tipo de dispositivo se investigó haciendo énfasis en la eficiencia de colección y la reducción de la corriente en oscuridad. Se ha demostrado que la eficiencia de colección disminuye en gran medida para pozos que se encuentran en la zona cuasi-neutra con respecto a pozos que se encuentran en la zona de carga espacial de un diodo p-i-n. El segundo bloque de esta Tesis trata el diseño, la fabricación y la caracterización de detectores sensibles a la polarización de la luz basados en GaN orientado según el plano M y crecido sobre sustratos de LiAlO2. El cambio de orientación cristalina produce una modificación de las reglas de selección para luz incidente en la dirección perpendicular al plano de la muestra. Esta modificación se ve reforzada por el uso de sustratos que generan una deformación anisótropa en las capas. En la memoria se presentan cálculos basados en el formalismo kp para estructuras wurtzita que predicen las reglas de selección y las propiedades ópticas de dicroísmo encontradas en los experimentos. Los resultados de la caracterización eléctrica y óptica revelan algunas particularidades de este material, tales como la evolución de la deformación con la temperatura o las propiedades de las superficies del GaN plano M. Finalmente, se ha demostrado la realización de detectores cuya fotorrespuesta depende del ángulo de la polarización de la luz incidente cerca del borde de detección, es decir, en torno a la energía de la banda prohibida. Además de los resultados experimentales se ha desarrollado una metodología de diseño específica para este nuevo tipo de detectores donde la principal herramienta es el espesor de las capas. El espesor de las capas afecta al grado de relajación presente en el material y, por tanto, a la separación de las bandas de valencia inducida por la deformación y a las reglas de selección, así como a la cantidad de luz absorbida. Por último, se ha propuesto la construcción de sistemas que mejoran el contraste a la polarización de la luz y permiten conseguir detección en banda estrecha.

Calificación: 
Sobresaliente Cum Laude
Autor Tesis: 
Pedro Guerra Gutiérrez
Grupos de investigación: 
Fecha : 
Vie, 23/11/2007
Director/es
Nombre y apellidos: 
Resumen: 

La tomografía por emisión combina biología, física y computación para dar lugar a imágenes del organismo que en última instancia se relacionan con el comportamiento celular, habiendo demostrado ser una técnica de gran interés en oncología, neurología y radiología, tanto en investigación como en rutina clínica. La técnica se fundamenta en la detección de la radiación gamma generada por un radiofármaco que previamente se ha inyectado al paciente, para lo cual el equipo de tomografía dispone un conjunto de detectores de radiacción gamma en torno al objeto bajo estudio, generalmente configurando un anillo. Estos dectectores constan por una parte de un material denso destinado interaccionar con los rayos gamma y de una electrónica anexa capaz de detectar y caracterizar las señales resultantes de estas interacciones. En la actualidad una parte significativa de la investigación con mamíferos hace uso de ratones, los cuales han demostrado ser una excelente plataforma para el estudio multitud de enfermedades humanas. Este hecho explica el desarrollo y comercialización de multitud de equipos para tomografía por emisión específicamente diseñados para estudios con animales. La presente tesis doctoral tiene por objetivo explorar una nueva aproximación para la electrónica de cabecera de un sistema de tomografía por emisión de positrones para pequeños animales, que incorpore las técnicas digitales en lo que a detección y caracterización del pulso de centello se refiere. En primer lugar se desarrolla una metodología para la validación funcional de la electrónica a diseñar. La aproximación escogida analiza en detalle todo el proceso de adquisición, desde la interacción del rayo gamma con el cristal de centelleo hasta su digitalización, con el fin de modelar los estímulos que sirven de entrada al sistema electrónico. En segundo lugar, se analizan las distintas técnicas digitales para la caracterización del pulso, prestando especial incapié a las alternativas para la temporización del pulso de centelleo. Tras una comparación de cuatro métodos posibles se determinan las codiciones óptimas para extraer una marca temporal del pulso con una resolución próxima al nanosegundo. En tercer lugar, se implementa y caracteriza un prototipo del módulo de adquisición que incluye las técnicas digitales anteriores como parte de un sistema empotrado más complejo basada en lógica programable. Finalmente, se emplean los resultados anteriores para estimar mediante simulación las prestaciones prestaciones de un equipo híbrido que hiciera uso de la electrónica desarrollada La investigación realizada nos ha permitido determinar las condiciones en las que un sistema de adquisición para tomografía por emisión con muestreo continuo puede igualar o superar las prestaciones de un sistema convencional.

Calificación: 
Sobresaliente Cum Laude
Autor Tesis: 
Gabriel Caffarena Fernández
Grupos de investigación: 
Fecha : 
Lun, 06/10/2008
Director/es
Calificación: 
Sobresaliente Cum Laude
Documento electrónico: