En este trabajo se estudia el crecimiento (por epitaxia de haces moleculares), el estado de deformación y los efectos de los campos piezoeléctricos en estructuras de InGaAs. En las orientaciones (001) y (111) B. Las principales conclusiones se resumen en tres: 1.- La utilización de sustratos (001) y (111) B (desorientado 1 grado hacia (001) permite la obtención de estructuras de InGaAs óptimas e idénticas cuando son epitaxiadas simultáneamente a 0,4 nm/h, 500 grados centígrados y V/III3. 2.- Los espesores mínimos multiplicación de dislocaciones determinan la relajación y dependen fuertemente de la orientación siendo unas 3 veces mayores en la orientación (111) que en la (001). 3.- Se demuestra en heteroestructuras (111) B dos ventajas adicionales respecto de la orientación (001): mayor espesor crítico y posibilidad de controlar la envolvente de potencial en la región activa