La presente tesis doctoral afronta el estudio de dos problemas que se enmarcan en las fases iniciales de crecimiento y desarrollo de dispositivos integrados basados en heteroestructuras de InGaAs/GaAs: la rugosidad superficial que aparece durante el crecimiento epitaxial, y la problemática de obtener altas concentraciones de portadores libres mediante dopaje con Si, Be y C en InGaAs en el primer caso, se ha analizado la fenomenología del proceso de arrugamiento, los distintos factores que lo propician con especial atención a los que operan en condiciones de crecimiento estándar y se han determinado condiciones de crecimiento optimizadas para minimizar el relieve rugoso en el segundo caso, se ha estudiado la influencia del contenido de in en la incorporación de los distintos dopantes. Para ello se han analizado los modos locales de vibración de los principales sustitucionales mediante distintas técnicas de espectroscopia (Raman y absorción de infrarrojos por T de Fourier). Como resultado se han dado las razones a escala microscópica de los diversos comportamientos de estos dopantes en la red cristalina InGaAs