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Estructuras de pozo cuántico y su aplicación a transistores pseudomórficos FET de INXGA1-XAS/GAAS

Autor Tesis: 
Fernando González Sanz
Fecha : 
Mie, 03/01/1990
Director/es
Nombre y apellidos: 
Resumen: 

Estudio de la teoría básica de crecimiento de capas epitaxiales bajo deformación. Determinación del espesor de la capa crítica y método de cálculo de la misma en función del sustrato y la estructura utilizada. Se centró en el sistema InGaAs/GaAs. Estudio de la estructura de bandas en pozos cuánticos sometidos a deformación, incluyendo los offsets en las bandas de valencia y conducción y el desdoblamiento de las bandas de huecos ligeros y pesados. Diseño de estructuras de pozo cuántico que permitan el estudio experimental de los anteriores puntos. Dichas muestras han sido crecidas por MBE y caracterizadas por procedimientos ópticos y eléctricos

Calificación: 
Sobresaliente Cum Laude