|
Jue, 29/06/2000 |
Álvaro de Guzmán Fernández González |
Desarrollo de fotodetectores bi-color de infrarrojos con pozos cuánticos de GaAs/AlGaAs |
|
Vie, 08/07/2011 |
Alvaro Navarro Tobar |
Contribución al desarrollo y caracterización de fotodetectores avanzados basados en nitruros del grupo III |
|
Vie, 10/10/2003 |
Ana Jiménez Martín |
Crecimiento y fabricación de transistores HEMT de AlGaN/GaN por epitaxia de haces moleculares |
|
Vie, 08/06/2012 |
Ana Mª Bengoechea Encabo |
Crecimiento, fabricación y caracterización de heterosestructuras y nanocolumnas ordenadas basadas en nitruros del grupo III para aplicaciones sensoras |
|
Vie, 24/07/2015 |
Ana Pérez Campos |
CMOS Integration of AIN based piezoelectric microcantilevers |
|
Vie, 01/12/1995 |
Ana Sacedón Ayuso |
Aportación al estudio de estructuras pseudomórficas y metamórficas de InGaAs |
|
Vie, 29/11/1996 |
Ángel Luis Álvarez Castillo |
Contribución al estudio por espectroscopia raman de la deformación y los altos dopajes en InGaAs epitaxial |
|
Vie, 03/10/2014 |
Ashu Wang |
Thermal, stress, and traps effects in AlGaN/GaN HEMTs |
|
Vie, 13/07/2007 |
Carlos Rivera de Lucas |
Estudio de estructura de baja dimensionalidad y avanzadas para la detección de radiación visible y ultravioleta basadas en nitruros del grupo III |
|
Lun, 10/05/2004 |
Esperanza Luna García de la Infanta |
Desarrollo de detectores de infrarrojo fotovoltaicos, de pozo cuántico y doble barrera, para la banda de 3-5 µm |
|
Jue, 24/02/2000 |
Eva Mª Monroy Fernández |
Desarrollo y caracterización de fotodetectores de radiación ultravioleta basados en nitruros del grupo III |
|
Lun, 06/10/2003 |
Fernando B. Naranjo Vega |
Crecimiento, fabricación y caracterización de diodos electroluminiscentes basados en pozos cuánticos de InGaN |
|
Lun, 14/10/1996 |
Fernando Blanco Mourenza |
Contribución al estudio de las irregularidades de baja frecuencia de transitores FET de heteroestructura de AlGaAs/InGaAs |
|
Mie, 03/01/1990 |
Fernando González Sanz |
Estructuras de pozo cuántico y su aplicación a transistores pseudomórficos FET de INXGA1-XAS/GAAS |
|
Vie, 18/12/2009 |
Fernando Gonzalez-Posada Flores |
Aspectos estructurales, deformación y superficies en relación con la fiabilidad de transistores de alta movilidad electrónica basados en heteroestructuras de AIGaN/GaN |
|
Vie, 16/10/1998 |
Fernando José Sánchez Sanz |
Contribución al estudio de defectos en capas epitaxiales de GaN. Aplicación a dispositivos optoelectrónicos |
|
Dom, 19/10/2014 |
Gema Tabares Jiménez |
Fotodiodos basados en (Zn,Mg)O para la detección de luz ultravioleta |
|
Vie, 05/06/2009 |
Javier Grandal Quintana |
Crecimiento y caracterización de nitruro de indio por epitaxia de haces moleculares para aplicaciones en el infrarrojo cercano |
|
Vie, 10/02/2006 |
Javier Miguel Sánchez |
Crecimiento por MBE de pozos cuánticos de InGaAsN sobre GaAs (111)B y (100) para su aplicación en láseres de semiconductor |
|
Vie, 25/07/2014 |
Johanna Akerman |
Movimiento de paredes de dominio magnético en nanohilos con defectos controlados |
