Eventos destacados

« 02 2024 »
LunMarMiéJueVieSábDom
1234
567891011
12131415161718
19202122232425
26272829

Tesis

Formato: 2024
Fecha Autor Tesisordenar por icono Título
Mie, 04/07/2012
Zarko Gacevic Constituent blocks of III-nitride microcavities grown by molecular beam epitaxy
Vie, 20/12/2013
Tommaso Brazzini Properties and applications of high electron density structures based on InN and related compounds
Vie, 15/10/2004
Susana María Fernández Ruano Espejos de Bragg de AlGaN/GaN crecidos por Epitaxia de Haces Moleculares para Dispositivos Optoelectrónicos de Cavidad Resonante
Vie, 29/05/2015
Steven Albert Self assembled and ordered group III nitride nanocolumnar structures for light emitting applications
Vie, 05/06/2009
Sergio Fernández Garrido Crecimiento de nitruros del grupo III por epitaxia de haces moleculares para la fabricación de diodos electroluminiscentes en el Rango visible-ultravioleta
Jue, 26/03/2015
Sara Martín Horcajo Technology and characterization of GaN-HEMT devices: high temperature and trapping effects
Vie, 17/07/2015
Rocio Estefanía Rojas Hernández Diseño y Síntesis de materiales nanoestructurados basados en aluminatos de estroncio con propiedades fotoluminecentes
Mie, 12/05/2010
Raquel Gargallo Caballero Desarrollo de dispositivos optoelectrónicos mediante crecimiento por MBE y caracterización de nanoestructuras de punto cuántico basadas en (Ga,In)(As,N)
Jue, 01/02/1996
Oscar Alberto Antón Molina Fabricación de dispositivos optoelectrónicos en fosfuro de indio para sistemas ópticos coherentes
Vie, 27/02/2015
Mª José Milla Rodrigo Surface InGaAs nanostructures for sensing applications
Lun, 12/07/2010
Mª Fátima Romero Rojo Contribución al Desarrollo Tecnológico de transistores HEMT de AlGaN/GaN
Lun, 21/05/2012
Miguel Romera Rabasa Transporte dependiente de espin en estructuras de magnetorresistencia gigante con capas delgadas de gadolino
Mar, 13/07/2010
Miguel Montes Bajo GaAs-based quamtum well and quamtum dot light-emitting diodes and lasers for 1.3 and 1.55 m emission
Lun, 27/11/2000
Miguel Ángel Sánchez García Crecimiento y caracterización de Nitruros del grupo III sobre Si(111) por epitaxia de haces moleculares
Lun, 19/10/2015
Manuel López Ponce PROPIEDADES ÓPTICAS Y ESTRUCTURALES DE NANOESTRUCTURAS DE Zn(Cd)(Mg)O”
Vie, 20/11/2009
Juan Pereiro Viterbo Diseño, crecimiento, caracterización y fabricación de detectores de luz ultravioleta y visible basados en pozos cuánticos de nitruros del grupo III
Mar, 04/06/2013
Juan Gabriel Rodríguez Madrid ULTRA HIGH FREQUENCY THIN FILM SAW DEVICES
Mar, 07/02/2006
José Mª Ulloa Herrero Diseño, fabricación y caracterización de diodos láser basados en pozos cuánticos de InGaAs (N)/GaAs
Lun, 02/10/1989
José Ignacio Izpura Torres Contribución al estudio de transistores bipolares de AlGaAs/GaAs: Estudio de las zonas tipo N
Jue, 13/07/2000
José Antonio Garrido Ariza Fabricación, caracterización y modelado de transistores de heterounión de efecto campo basados en AlGaN/GaN