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Mie, 04/07/2012 |
Zarko Gacevic |
Constituent blocks of III-nitride microcavities grown by molecular beam epitaxy |
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Vie, 20/12/2013 |
Tommaso Brazzini |
Properties and applications of high electron density structures based on InN and related compounds |
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Vie, 15/10/2004 |
Susana María Fernández Ruano |
Espejos de Bragg de AlGaN/GaN crecidos por Epitaxia de Haces Moleculares para Dispositivos Optoelectrónicos de Cavidad Resonante |
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Vie, 29/05/2015 |
Steven Albert |
Self assembled and ordered group III nitride nanocolumnar structures for light emitting applications |
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Vie, 05/06/2009 |
Sergio Fernández Garrido |
Crecimiento de nitruros del grupo III por epitaxia de haces moleculares para la fabricación de diodos electroluminiscentes en el Rango visible-ultravioleta |
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Jue, 26/03/2015 |
Sara Martín Horcajo |
Technology and characterization of GaN-HEMT devices: high temperature and trapping effects |
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Vie, 17/07/2015 |
Rocio Estefanía Rojas Hernández |
Diseño y Síntesis de materiales nanoestructurados basados en aluminatos de estroncio con propiedades fotoluminecentes |
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Mie, 12/05/2010 |
Raquel Gargallo Caballero |
Desarrollo de dispositivos optoelectrónicos mediante crecimiento por MBE y caracterización de nanoestructuras de punto cuántico basadas en (Ga,In)(As,N) |
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Jue, 01/02/1996 |
Oscar Alberto Antón Molina |
Fabricación de dispositivos optoelectrónicos en fosfuro de indio para sistemas ópticos coherentes |
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Vie, 27/02/2015 |
Mª José Milla Rodrigo |
Surface InGaAs nanostructures for sensing applications |
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Lun, 12/07/2010 |
Mª Fátima Romero Rojo |
Contribución al Desarrollo Tecnológico de transistores HEMT de AlGaN/GaN |
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Lun, 21/05/2012 |
Miguel Romera Rabasa |
Transporte dependiente de espin en estructuras de magnetorresistencia gigante con capas delgadas de gadolino |
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Mar, 13/07/2010 |
Miguel Montes Bajo |
GaAs-based quamtum well and quamtum dot light-emitting diodes and lasers for 1.3 and 1.55 m emission |
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Lun, 27/11/2000 |
Miguel Ángel Sánchez García |
Crecimiento y caracterización de Nitruros del grupo III sobre Si(111) por epitaxia de haces moleculares |
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Lun, 19/10/2015 |
Manuel López Ponce |
PROPIEDADES ÓPTICAS Y ESTRUCTURALES DE NANOESTRUCTURAS DE Zn(Cd)(Mg)O” |
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Vie, 20/11/2009 |
Juan Pereiro Viterbo |
Diseño, crecimiento, caracterización y fabricación de detectores de luz ultravioleta y visible basados en pozos cuánticos de nitruros del grupo III |
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Mar, 04/06/2013 |
Juan Gabriel Rodríguez Madrid |
ULTRA HIGH FREQUENCY THIN FILM SAW DEVICES |
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Mar, 07/02/2006 |
José Mª Ulloa Herrero |
Diseño, fabricación y caracterización de diodos láser basados en pozos cuánticos de InGaAs (N)/GaAs |
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Lun, 02/10/1989 |
José Ignacio Izpura Torres |
Contribución al estudio de transistores bipolares de AlGaAs/GaAs: Estudio de las zonas tipo N |
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Jue, 13/07/2000 |
José Antonio Garrido Ariza |
Fabricación, caracterización y modelado de transistores de heterounión de efecto campo basados en AlGaN/GaN |
