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Lun, 02/10/1989 |
José Ignacio Izpura Torres |
Contribución al estudio de transistores bipolares de AlGaAs/GaAs: Estudio de las zonas tipo N |
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Mie, 03/01/1990 |
Fernando González Sanz |
Estructuras de pozo cuántico y su aplicación a transistores pseudomórficos FET de INXGA1-XAS/GAAS |
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Vie, 01/12/1995 |
Ana Sacedón Ayuso |
Aportación al estudio de estructuras pseudomórficas y metamórficas de InGaAs |
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Jue, 01/02/1996 |
Oscar Alberto Antón Molina |
Fabricación de dispositivos optoelectrónicos en fosfuro de indio para sistemas ópticos coherentes |
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Lun, 14/10/1996 |
Fernando Blanco Mourenza |
Contribución al estudio de las irregularidades de baja frecuencia de transitores FET de heteroestructura de AlGaAs/InGaAs |
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Vie, 29/11/1996 |
Ángel Luis Álvarez Castillo |
Contribución al estudio por espectroscopia raman de la deformación y los altos dopajes en InGaAs epitaxial |
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Vie, 16/10/1998 |
Fernando José Sánchez Sanz |
Contribución al estudio de defectos en capas epitaxiales de GaN. Aplicación a dispositivos optoelectrónicos |
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Jue, 24/02/2000 |
Eva Mª Monroy Fernández |
Desarrollo y caracterización de fotodetectores de radiación ultravioleta basados en nitruros del grupo III |
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Jue, 29/06/2000 |
Álvaro de Guzmán Fernández González |
Desarrollo de fotodetectores bi-color de infrarrojos con pozos cuánticos de GaAs/AlGaAs |
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Jue, 13/07/2000 |
José Antonio Garrido Ariza |
Fabricación, caracterización y modelado de transistores de heterounión de efecto campo basados en AlGaN/GaN |
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Lun, 27/11/2000 |
Miguel Ángel Sánchez García |
Crecimiento y caracterización de Nitruros del grupo III sobre Si(111) por epitaxia de haces moleculares |
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Lun, 06/10/2003 |
Fernando B. Naranjo Vega |
Crecimiento, fabricación y caracterización de diodos electroluminiscentes basados en pozos cuánticos de InGaN |
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Vie, 10/10/2003 |
Ana Jiménez Martín |
Crecimiento y fabricación de transistores HEMT de AlGaN/GaN por epitaxia de haces moleculares |
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Lun, 10/05/2004 |
Esperanza Luna García de la Infanta |
Desarrollo de detectores de infrarrojo fotovoltaicos, de pozo cuántico y doble barrera, para la banda de 3-5 µm |
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Vie, 15/10/2004 |
Susana María Fernández Ruano |
Espejos de Bragg de AlGaN/GaN crecidos por Epitaxia de Haces Moleculares para Dispositivos Optoelectrónicos de Cavidad Resonante |
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Mar, 07/02/2006 |
José Mª Ulloa Herrero |
Diseño, fabricación y caracterización de diodos láser basados en pozos cuánticos de InGaAs (N)/GaAs |
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Vie, 10/02/2006 |
Javier Miguel Sánchez |
Crecimiento por MBE de pozos cuánticos de InGaAsN sobre GaAs (111)B y (100) para su aplicación en láseres de semiconductor |
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Vie, 06/07/2007 |
Jorge Pedrós Ayala |
Dispositivos Saw en estructuras de nitruros del Grupo III: Propagación y modulación óptica y electrónica. |
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Vie, 13/07/2007 |
Carlos Rivera de Lucas |
Estudio de estructura de baja dimensionalidad y avanzadas para la detección de radiación visible y ultravioleta basadas en nitruros del grupo III |
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Vie, 05/06/2009 |
Sergio Fernández Garrido |
Crecimiento de nitruros del grupo III por epitaxia de haces moleculares para la fabricación de diodos electroluminiscentes en el Rango visible-ultravioleta |
