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Tesis

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Lun, 02/10/1989
José Ignacio Izpura Torres Contribución al estudio de transistores bipolares de AlGaAs/GaAs: Estudio de las zonas tipo N
Mie, 03/01/1990
Fernando González Sanz Estructuras de pozo cuántico y su aplicación a transistores pseudomórficos FET de INXGA1-XAS/GAAS
Vie, 01/12/1995
Ana Sacedón Ayuso Aportación al estudio de estructuras pseudomórficas y metamórficas de InGaAs
Jue, 01/02/1996
Oscar Alberto Antón Molina Fabricación de dispositivos optoelectrónicos en fosfuro de indio para sistemas ópticos coherentes
Lun, 14/10/1996
Fernando Blanco Mourenza Contribución al estudio de las irregularidades de baja frecuencia de transitores FET de heteroestructura de AlGaAs/InGaAs
Vie, 29/11/1996
Ángel Luis Álvarez Castillo Contribución al estudio por espectroscopia raman de la deformación y los altos dopajes en InGaAs epitaxial
Vie, 16/10/1998
Fernando José Sánchez Sanz Contribución al estudio de defectos en capas epitaxiales de GaN. Aplicación a dispositivos optoelectrónicos
Jue, 24/02/2000
Eva Mª Monroy Fernández Desarrollo y caracterización de fotodetectores de radiación ultravioleta basados en nitruros del grupo III
Jue, 29/06/2000
Álvaro de Guzmán Fernández González Desarrollo de fotodetectores bi-color de infrarrojos con pozos cuánticos de GaAs/AlGaAs
Jue, 13/07/2000
José Antonio Garrido Ariza Fabricación, caracterización y modelado de transistores de heterounión de efecto campo basados en AlGaN/GaN
Lun, 27/11/2000
Miguel Ángel Sánchez García Crecimiento y caracterización de Nitruros del grupo III sobre Si(111) por epitaxia de haces moleculares
Lun, 06/10/2003
Fernando B. Naranjo Vega Crecimiento, fabricación y caracterización de diodos electroluminiscentes basados en pozos cuánticos de InGaN
Vie, 10/10/2003
Ana Jiménez Martín Crecimiento y fabricación de transistores HEMT de AlGaN/GaN por epitaxia de haces moleculares
Lun, 10/05/2004
Esperanza Luna García de la Infanta Desarrollo de detectores de infrarrojo fotovoltaicos, de pozo cuántico y doble barrera, para la banda de 3-5 µm
Vie, 15/10/2004
Susana María Fernández Ruano Espejos de Bragg de AlGaN/GaN crecidos por Epitaxia de Haces Moleculares para Dispositivos Optoelectrónicos de Cavidad Resonante
Mar, 07/02/2006
José Mª Ulloa Herrero Diseño, fabricación y caracterización de diodos láser basados en pozos cuánticos de InGaAs (N)/GaAs
Vie, 10/02/2006
Javier Miguel Sánchez Crecimiento por MBE de pozos cuánticos de InGaAsN sobre GaAs (111)B y (100) para su aplicación en láseres de semiconductor
Vie, 06/07/2007
Jorge Pedrós Ayala Dispositivos Saw en estructuras de nitruros del Grupo III: Propagación y modulación óptica y electrónica.
Vie, 13/07/2007
Carlos Rivera de Lucas Estudio de estructura de baja dimensionalidad y avanzadas para la detección de radiación visible y ultravioleta basadas en nitruros del grupo III
Vie, 05/06/2009
Sergio Fernández Garrido Crecimiento de nitruros del grupo III por epitaxia de haces moleculares para la fabricación de diodos electroluminiscentes en el Rango visible-ultravioleta