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Tesis

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Lun, 19/10/2015
Manuel López Ponce PROPIEDADES ÓPTICAS Y ESTRUCTURALES DE NANOESTRUCTURAS DE Zn(Cd)(Mg)O”
Vie, 24/07/2015
Ana Pérez Campos CMOS Integration of AIN based piezoelectric microcantilevers
Vie, 17/07/2015
Rocio Estefanía Rojas Hernández Diseño y Síntesis de materiales nanoestructurados basados en aluminatos de estroncio con propiedades fotoluminecentes
Vie, 29/05/2015
Steven Albert Self assembled and ordered group III nitride nanocolumnar structures for light emitting applications
Jue, 26/03/2015
Sara Martín Horcajo Technology and characterization of GaN-HEMT devices: high temperature and trapping effects
Vie, 27/02/2015
Mª José Milla Rodrigo Surface InGaAs nanostructures for sensing applications
Dom, 19/10/2014
Gema Tabares Jiménez Fotodiodos basados en (Zn,Mg)O para la detección de luz ultravioleta
Vie, 03/10/2014
Ashu Wang Thermal, stress, and traps effects in AlGaN/GaN HEMTs
Vie, 25/07/2014
Johanna Akerman Movimiento de paredes de dominio magnético en nanohilos con defectos controlados
Vie, 20/12/2013
Tommaso Brazzini Properties and applications of high electron density structures based on InN and related compounds
Mar, 04/06/2013
Juan Gabriel Rodríguez Madrid ULTRA HIGH FREQUENCY THIN FILM SAW DEVICES
Mie, 04/07/2012
Zarko Gacevic Constituent blocks of III-nitride microcavities grown by molecular beam epitaxy
Vie, 08/06/2012
Ana Mª Bengoechea Encabo Crecimiento, fabricación y caracterización de heterosestructuras y nanocolumnas ordenadas basadas en nitruros del grupo III para aplicaciones sensoras
Lun, 21/05/2012
Miguel Romera Rabasa Transporte dependiente de espin en estructuras de magnetorresistencia gigante con capas delgadas de gadolino
Vie, 08/07/2011
Alvaro Navarro Tobar Contribución al desarrollo y caracterización de fotodetectores avanzados basados en nitruros del grupo III
Mar, 13/07/2010
Miguel Montes Bajo GaAs-based quamtum well and quamtum dot light-emitting diodes and lasers for 1.3 and 1.55 m emission
Lun, 12/07/2010
Mª Fátima Romero Rojo Contribución al Desarrollo Tecnológico de transistores HEMT de AlGaN/GaN
Mie, 12/05/2010
Raquel Gargallo Caballero Desarrollo de dispositivos optoelectrónicos mediante crecimiento por MBE y caracterización de nanoestructuras de punto cuántico basadas en (Ga,In)(As,N)
Vie, 18/12/2009
Fernando Gonzalez-Posada Flores Aspectos estructurales, deformación y superficies en relación con la fiabilidad de transistores de alta movilidad electrónica basados en heteroestructuras de AIGaN/GaN
Vie, 20/11/2009
Juan Pereiro Viterbo Diseño, crecimiento, caracterización y fabricación de detectores de luz ultravioleta y visible basados en pozos cuánticos de nitruros del grupo III