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Vie, 05/06/2009 |
Javier Grandal Quintana |
Crecimiento y caracterización de nitruro de indio por epitaxia de haces moleculares para aplicaciones en el infrarrojo cercano |
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Vie, 20/11/2009 |
Juan Pereiro Viterbo |
Diseño, crecimiento, caracterización y fabricación de detectores de luz ultravioleta y visible basados en pozos cuánticos de nitruros del grupo III |
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Vie, 18/12/2009 |
Fernando Gonzalez-Posada Flores |
Aspectos estructurales, deformación y superficies en relación con la fiabilidad de transistores de alta movilidad electrónica basados en heteroestructuras de AIGaN/GaN |
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Mie, 12/05/2010 |
Raquel Gargallo Caballero |
Desarrollo de dispositivos optoelectrónicos mediante crecimiento por MBE y caracterización de nanoestructuras de punto cuántico basadas en (Ga,In)(As,N) |
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Lun, 12/07/2010 |
Mª Fátima Romero Rojo |
Contribución al Desarrollo Tecnológico de transistores HEMT de AlGaN/GaN |
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Mar, 13/07/2010 |
Miguel Montes Bajo |
GaAs-based quamtum well and quamtum dot light-emitting diodes and lasers for 1.3 and 1.55 m emission |
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Vie, 08/07/2011 |
Alvaro Navarro Tobar |
Contribución al desarrollo y caracterización de fotodetectores avanzados basados en nitruros del grupo III |
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Lun, 21/05/2012 |
Miguel Romera Rabasa |
Transporte dependiente de espin en estructuras de magnetorresistencia gigante con capas delgadas de gadolino |
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Vie, 08/06/2012 |
Ana Mª Bengoechea Encabo |
Crecimiento, fabricación y caracterización de heterosestructuras y nanocolumnas ordenadas basadas en nitruros del grupo III para aplicaciones sensoras |
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Mie, 04/07/2012 |
Zarko Gacevic |
Constituent blocks of III-nitride microcavities grown by molecular beam epitaxy |
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Mar, 04/06/2013 |
Juan Gabriel Rodríguez Madrid |
ULTRA HIGH FREQUENCY THIN FILM SAW DEVICES |
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Vie, 20/12/2013 |
Tommaso Brazzini |
Properties and applications of high electron density structures based on InN and related compounds |
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Vie, 25/07/2014 |
Johanna Akerman |
Movimiento de paredes de dominio magnético en nanohilos con defectos controlados |
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Vie, 03/10/2014 |
Ashu Wang |
Thermal, stress, and traps effects in AlGaN/GaN HEMTs |
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Dom, 19/10/2014 |
Gema Tabares Jiménez |
Fotodiodos basados en (Zn,Mg)O para la detección de luz ultravioleta |
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Vie, 27/02/2015 |
Mª José Milla Rodrigo |
Surface InGaAs nanostructures for sensing applications |
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Jue, 26/03/2015 |
Sara Martín Horcajo |
Technology and characterization of GaN-HEMT devices: high temperature and trapping effects |
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Vie, 29/05/2015 |
Steven Albert |
Self assembled and ordered group III nitride nanocolumnar structures for light emitting applications |
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Vie, 17/07/2015 |
Rocio Estefanía Rojas Hernández |
Diseño y Síntesis de materiales nanoestructurados basados en aluminatos de estroncio con propiedades fotoluminecentes |
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Vie, 24/07/2015 |
Ana Pérez Campos |
CMOS Integration of AIN based piezoelectric microcantilevers |
