Crecimiento y fabricación de transistores HEMT de AIGaN/GaN por epitaxia de haces moleculares. | DIE

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Crecimiento y fabricación de transistores HEMT de AIGaN/GaN por epitaxia de haces moleculares.

Tesis Doctorales

Fecha :

Vie, 10/10/2003

Calificación:

Sobresaliente Cum Laude

Documento electrónico:

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TD Ana Jiménez Martín.pdf

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