Crecimiento por MBE, fabricación y caracterización de láseres de AlGaAs/GaAs/InGaAs/GaAs (111)B para emisión óptica con >1um. | DIE

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Crecimiento por MBE, fabricación y caracterización de láseres de AlGaAs/GaAs/InGaAs/GaAs (111)B para emisión óptica con >1um.

Tesis Doctorales

Fecha :

Mie, 01/03/2000

Calificación:

Sobresaliente Cum Laude

Documento electrónico:

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TD Jorge Julián Sánchez Martínez.pdf

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