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Aspectos estructurales, deformación y superficies en relación con la fiabilidad de transistores de alta movilidad electrónica basados en heteroestructuras de AIGaN/GaN

Autor Tesis: 
Fernando Gonzalez-Posada Flores
Fecha : 
Vie, 18/12/2009
Calificación: 
Sobresaliente Cum Laude
Documento electrónico: 
application/pdf iconTesis Fernando González Posada Flores.pdf [2]

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