Contribución al estudio de las irregularidades de baja frecuencia de transitores FET de heteroestructura de AlGaAs/InGaAs

Investigación sobre el origen y la caracterización de las anomalías de baja frecuencia (por debajo de 1MHZ) en el ruido, transconductancia y conductancia de salida en los Hemts pseudomórficos de AlGaAs/InGaAs. También se realiza un análisis de la capacidad y de las resistencias parásitas. Se estudia la dispersión de la transconductancia con la frecuencia y el ruido para diferentes temperaturas y polarizaciones. Se encuentra que la causa de las anomalías son dos trampas: los centros DX, debidos al dopante y las trampas pseudominoritarias, relacionadas con los estados de la superficie no cubierta con la puerta. Asimismo se proponen modelos que incluyen estos efectos en el circuito equivalente del transisto