Crecimiento y caracterización de Nitruros del grupo III sobre Si(111) por epitaxia de haces moleculares. | DIE

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Crecimiento y caracterización de Nitruros del grupo III sobre Si(111) por epitaxia de haces moleculares.

Tesis Doctorales

Fecha :

Lun, 27/11/2000

Calificación:

Sobresaliente Cum Laude

Documento electrónico:

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TD Miguel Ángel Sánchez García.pdf

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