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Mar, 04/06/2013
Juan Gabriel Rodríguez Madrid ULTRA HIGH FREQUENCY THIN FILM SAW DEVICES
Lun, 21/05/2012
Miguel Romera Rabasa Transporte dependiente de espin en estructuras de magnetorresistencia gigante con capas delgadas de gadolino
Vie, 03/10/2014
Ashu Wang Thermal, stress, and traps effects in AlGaN/GaN HEMTs
Jue, 26/03/2015
Sara Martín Horcajo Technology and characterization of GaN-HEMT devices: high temperature and trapping effects
Vie, 27/02/2015
Mª José Milla Rodrigo Surface InGaAs nanostructures for sensing applications
Vie, 29/05/2015
Steven Albert Self assembled and ordered group III nitride nanocolumnar structures for light emitting applications
Lun, 19/10/2015
Manuel López Ponce PROPIEDADES ÓPTICAS Y ESTRUCTURALES DE NANOESTRUCTURAS DE Zn(Cd)(Mg)O”
Vie, 20/12/2013
Tommaso Brazzini Properties and applications of high electron density structures based on InN and related compounds
Vie, 25/07/2014
Johanna Akerman Movimiento de paredes de dominio magnético en nanohilos con defectos controlados
Mar, 13/07/2010
Miguel Montes Bajo GaAs-based quamtum well and quamtum dot light-emitting diodes and lasers for 1.3 and 1.55 m emission
Dom, 19/10/2014
Gema Tabares Jiménez Fotodiodos basados en (Zn,Mg)O para la detección de luz ultravioleta
Jue, 13/07/2000
José Antonio Garrido Ariza Fabricación, caracterización y modelado de transistores de heterounión de efecto campo basados en AlGaN/GaN
Jue, 01/02/1996
Oscar Alberto Antón Molina Fabricación de dispositivos optoelectrónicos en fosfuro de indio para sistemas ópticos coherentes
Vie, 13/07/2007
Carlos Rivera de Lucas Estudio de estructura de baja dimensionalidad y avanzadas para la detección de radiación visible y ultravioleta basadas en nitruros del grupo III
Mie, 03/01/1990
Fernando González Sanz Estructuras de pozo cuántico y su aplicación a transistores pseudomórficos FET de INXGA1-XAS/GAAS
Vie, 15/10/2004
Susana María Fernández Ruano Espejos de Bragg de AlGaN/GaN crecidos por Epitaxia de Haces Moleculares para Dispositivos Optoelectrónicos de Cavidad Resonante
Vie, 06/07/2007
Jorge Pedrós Ayala Dispositivos Saw en estructuras de nitruros del Grupo III: Propagación y modulación óptica y electrónica.
Mar, 07/02/2006
José Mª Ulloa Herrero Diseño, fabricación y caracterización de diodos láser basados en pozos cuánticos de InGaAs (N)/GaAs
Vie, 20/11/2009
Juan Pereiro Viterbo Diseño, crecimiento, caracterización y fabricación de detectores de luz ultravioleta y visible basados en pozos cuánticos de nitruros del grupo III
Vie, 17/07/2015
Rocio Estefanía Rojas Hernández Diseño y Síntesis de materiales nanoestructurados basados en aluminatos de estroncio con propiedades fotoluminecentes