Aspectos estructurales, deformación y superficies en relación con la fiabilidad de transistores de alta movilidad electrónica basados en heteroestructuras de AIGaN/GaN
Autor Tesis:
Fernando Gonzalez-Posada Flores
Fecha :
Fri, 18/12/2009
Calificación:
Sobresaliente Cum Laude
Documento electrónico:
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