Featured events
Mon | Tue | Wed | Thu | Fri | Sat | Sun |
---|---|---|---|---|---|---|
1 | 2 | 3 | ||||
4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 |
11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 |
18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 |
25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 |
Contribución al estudio de defectos en capas epitaxiales de GaN. Aplicación a dispositivos optoelectrónicos
Esta tesis doctoral se ha dedicado al estudio y caracterización de capas epitaxiales de GaN. Este material es un semiconductor de GAP ancho (3,4 eV) que ha despertado un gran interés gracias a sus propiedades que posibilitan su aplicación inmediata a la fabricación de emisores en el azul y UV, detectores de UV y transistores de potencia. Se han estudiado capas crecidas sobre sustratos de zafiro y silicio (III) por dos técnicas diferentes, MBE y MOVPE. Las técnicas empleadas han sido fotoluminiscencia, efecto hall y fotocapacidad. Mediante ellas se han caracterizado defectos en material no dopado y ha sido posible la determinación de la energía de activación de varios dopantes como el Si (donante), el Mg y el Be (aceptores). Finalmente se ha realizado un estudio de la influencia de estos defectos y dopantes sobre las prestaciones de dos dispositivos, un detector de UV fotoconductor y un emisor de radiación azul (diodo electroluminiscente
- Login to post comments
- Printer-friendly version